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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
60
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
2.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
2.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
1505
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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