RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
60
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2169
1505
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link