RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    47 left arrow 60
    Около 22% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    10.4 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.8 left arrow 2.8
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    47 left arrow 60
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.4 left arrow 7.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 2.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2169 left arrow 1505

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM

V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
модули RAM
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
модули RAM