RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2904
2907
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link