RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
2327
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link