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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En -3% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.4
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2729
2327
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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