RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
36
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
3148
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link