RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
77
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3148
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link