RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3148
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link