RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gesamtnote
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2729
2978
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GX3M2A2133C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link