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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
65
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2052
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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