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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

総合得点
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    64 left arrow 65
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.8 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 64
  • 読み出し速度、GB/s
    6.1 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    985 left arrow 2052

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