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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
総合得点
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
総合得点
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
64
65
周辺 -2% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
4.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8500
周辺 2.26 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
64
読み出し速度、GB/s
6.1
16.8
書き込み速度、GB/秒
4.2
8.3
メモリ帯域幅、mbps
8500
19200
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
985
2052
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
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