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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
64
65
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
64
读取速度,GB/s
6.1
16.8
写入速度,GB/s
4.2
8.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2052
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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