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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

总分
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

总分
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

差异 规格 评论

差异

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB 需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    64 left arrow 65
    左右 -2% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.8 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    65 left arrow 64
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 16.8
  • 写入速度，GB/s
    4.2 left arrow 8.3
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    985 left arrow 2052

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较

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