RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
65
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
64
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
2052
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link