RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2052
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link