RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
34
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
18.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
3691
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link