RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
12.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
2774
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link