RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2774
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link