RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
34
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
10.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2712
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link