RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Compara
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
34
En -10% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2712
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link