RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
67
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2042
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link