RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
34
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
6.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
1970
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link