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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 -31% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
26
读取速度,GB/s
16.8
12.6
写入速度,GB/s
11.3
6.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
1970
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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