RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
2848
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link