RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
58
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
1998
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link