RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
58
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
58
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
1998
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link