RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
58
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
16.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
58
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2968
1998
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link