Porównanie pamięci RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Wynik ogólny

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 58

Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.8 9.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 19200

Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2756 1998

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns