RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
4064
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link