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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

総合得点
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 58
    周辺 53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 16.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.8 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2756 left arrow 1998

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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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