RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
34
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
1875
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link