RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
34
Intorno -6% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
32
Velocità di lettura, GB/s
16.8
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2968
1875
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link