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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
122
Rund um 77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
122
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
1411
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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