RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
122
Около 77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
122
Скорость чтения, Гб/сек
18.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
11.5
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3067
1411
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link