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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2504
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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