RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
35
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2841
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link