RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
21
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
59
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
19.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
4240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link