RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
59
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link