RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
39
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
2183
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link