Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    34 left arrow 39
    Por volta de 13% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.1 left arrow 8.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.7 left arrow 5.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    34 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    8.6 left arrow 14.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.8 left arrow 10.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1682 left arrow 2183
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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