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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Razões a considerar
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
17.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
33
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
16.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
3740
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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