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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
17.6
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3740
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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UMAX Technology 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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