RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
3030
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link