RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Comparar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
18.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3067
3030
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link