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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2709
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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