RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3067
2394
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link