Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Unterschiede

  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.2 left arrow 10.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    27 left arrow 35
    Rund um -30% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    35 left arrow 27
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.8 left arrow 14.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.2 left arrow 10.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2336 left arrow 2173
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche