Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Diferenças

  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.2 left arrow 10.2
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Por volta de -30% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.8 left arrow 14.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    11.2 left arrow 10.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2336 left arrow 2173
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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