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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB

総合得点
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 10.2
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 -30% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.2 left arrow 10.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2336 left arrow 2173

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