RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
45
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2503
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link