RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
バグを報告する
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 45
    周辺 -125% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1992 left arrow 2503

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB RAMの比較

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
メモリRAM